碳化硅陶瓷的制备工艺

碳化硅陶瓷是一种以碳化硅（SiC）为主要成分的无机非金属材料，具有高硬度、高强度、耐高温、耐腐蚀、耐磨、低热膨胀系数 高导热性等优异性能。
碳化硅陶瓷的制备工艺直接影响其性能和应用，常见方法包括：
反应烧结：碳源与碳化硅粉混合，经渗硅反应生成β-SiC，适合大尺寸复杂形状结构件。
无压烧结：添加烧结助剂（如B₄C、Y₂O₃），在2000-2150℃下致密化，分为固相烧结和液相烧结。
热压烧结：加热同时施加轴向压力，降低烧结温度，缩短时间，得到晶粒细小、密度高的产品。
放电等离子烧结（SPS）：快速升温并施加脉冲电流，短时间内完成烧结，制备纳米碳化硅材料。