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碳化硅陶瓷的三种制备方法

点击次数:   更新时间:2021-01-12 16:42:01   分    享:
  大家知道碳化硅陶瓷有哪三种制备方法吗?下面就来为大家来具体介绍一下。
  一是反应碳化硅陶瓷,反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右,通过气相与C反应生成。
  二是热压碳化硅陶瓷,虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密,但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类:一类与碳化硅中的杂质形成液相,通过液相促进烧结;一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。
  三是常压碳化硅陶瓷,常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅,在烧结到2100度以上的温度下,生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。
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